Power field MOS transistors, Umax= 60÷900 V, 150 mm wafers

規格
購買和技術。支持

範圍	意義
Тип карточки товара	Сложная
Application, features	MOSFET NMOS: Vtn=2÷4 V Umax= 60÷900 V
Process Description	Number of masks, pcs. 8 Min design rule,µm 2.0 Substrate: Si/Sb-doped/ n-type/Res 0,015; Si/ As-doped/ n-type/ Res 0,003 Epi layer: thickness 8÷75) µm Resistivity (0,67÷31,5) Ohm/cm Gate oxide (60÷100) nm Interlayer dielectric medium temp. oxide + BPSG Passivation PEoxide + PE SI3N4

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