晶圓廠
晶圓廠 - 用於在半導體晶圓上形成 IC 結構和分立器件的潔淨室和生產線
1、10、100、1000級晶體生產的總產能為:
加工 Ø200 毫米的板材,設計標準為 0.35 微米 - 8400 片/年
加工 Ø150 毫米的板材,設計標準為 0.8 微米 - 7.85 萬片/年
加工 Ø100 毫米的板材,設計標準為 1.2 微米 - 35.5 萬片/年
加工 Ø100 毫米的板材,設計標準為 2.0 微米 - 18 萬片/年
板材生產
直徑為 100、150、200 毫米的單晶矽 (PMC) 晶圓
用於生產微電子器件:
- 直徑100毫米,用於設計標準超過1.2微米的微電子器件;
- 直徑為150毫米的微電子器件,設計標準為0.8微米;
- 直徑為 200 毫米的微電子器件,設計標準為 0.5 - 0.35 微米。
電源:
生產用於微電子器件的單晶矽片 (PMS)
- 直徑為 100 毫米 - 805 千件。 每年;
- 直徑為 150 毫米 - 15 萬件。 每年;
- 直徑為 200 毫米 - 10,000 件。 年內。
潔淨室:
- 1 級 - 195 平方米
- 10 級 - 920 平方米
- 100 級 - 1635 平方米
- 1000 級 - 6500 平方米
- 10000 級 - 4133 平方米
- 100000 級 - 16287 平方米。
晶體生產的技術可能性:
CMOS 技術,035 µm,2 PCC,3 Me
BiCMOS 技術,0.8 µm,3 PCC,2 Me
高壓 CMOS 技術,0.8 µm,2 PCC,1Me
雙極技術,1.5…5 µm,1-2 Me
BiKDMOS、DMOS 技術、0.8…2 µm、1 Me
微波雙極晶體管技術
肖特基二極管技術
反擴散分離晶閘管平面製造技術
用於製造矽半導體器件(包括大功率高壓晶體管)的外延平面和擴散平面技術