1.2 µm CMOS PROM, 2 PolySi, 2 Me, zappable link

規格
購買和技術。支持

範圍	意義
Тип карточки товара	Сложная
Application, features	CMOS master-slice chip NMOS: Vtn=1.0 V, Ic >10 mA. Ubr>12V PMOS: Vtр=1.0 V, Ic >4.0 mA, Ubr>12V
Process Description	Number of masks, pcs. 11 Design rule,µm 1.2 Substrate: Si/B-doped / p-type/Res 12 N/P-well depth, µm 5/6 Gate SiO2, Å 250-300 Interlayer dielectric: BPSG Channel length: NMOS/PMOS, µm 2.0 Contacts, µm 2.0x2.0 Space line Me1, µm 8 Space line Me 2, µm 10

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