1.2 µm CMOS, 1 PolySi, 2 Me

規格
購買和技術。支持

範圍	意義
Тип карточки товара	Сложная
Application, features	CMOS master-slice chip NMOS: Vtn=0.7 V, Ic >11.5 mA. Ubr>12V PMOS: Vtр=0.8 V, Ic >4.5 mA, Ubr>12V
Process Description	Number of masks, pcs. 11 Design rules,µm 1.2 Substrate: Si/B-doped/ p-type/Res 12 N/P-wells depth, µm 5/6 Gate SiO2, Å 250-300 Interlayer dielectric: BPSG Channel length: NMOS/PMOS, µm 1.4/1.6 Space line PolySi, µm 2.8 Contacts, µm 1.6x1.6 Space line Me1, µm 3.4 Space line Me2, µm 3

訂購

小批量产品供应订单的订单，成本和履行条款由消费者与ojsc"INTEGRAL"的营销和销售服务达成一致-控股"INTEGRAL"的管理公司
销售部电话。 (+37517)2123850: (+375 17) 212 15 13, e-mail:sales@integral by
市场销售部：电话。 (+37517)2121810,tepefax: (+375 17) 212 20 31, 电子邮件: market@integral.by
订购特殊用途产品的先决条件是由企业负责人和客户代表（军事代表）签署申请，由适当的印章和签名认证！