Field N DMOS transistors

規格
購買和技術。支持

範圍	意義
Тип карточки товара	Сложная
Application, features	MOSFET Low-power Vtn= 0,6-3,0V Ubr=50-200V Pmax=1,0 Watt High-power Vtn= 2,0-4,0V Ubr=50-600V Pmax=200 Watt
Process Description	Number of masks, pcs. 7-9 Min design rule,µm 3.0 Substrate: Si/Sb-doped/ n-type/Res 0,01 Epi layer: Thickness (9÷42) µm Resistivity (0,7÷16) Ohm/cm Gate oxide (42,5÷80) nm Interlayer dielectric - medium temp. PSG Passivation: low temp. PSG

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