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Shottky diodes with Mo barrier

範圍 意義
Тип карточки товара Сложная
Application, features Fast silicon Shottky diodes for switched mode power supplies 

Urev V   40-150

Irev. µa   < 250

Idirect max. A   1-30
Process Description Number of masks, pcs.                                                  4

Size, mm                                                  0.76x0.76-4x4

Substrate: Si/As-doped/ n-type/Thk 460/Res 0.0035 (111)

Epi layer:         Si/ P-doped/ n-type/Thk 4.5/Res (0.6-0.8)

Isolation:                      p-n junction with field-type oxide

Metallization:                                      Al+Mo+Ti-Ni-Ag
小批量产品供应订单的订单,成本和履行条款由消费者与ojsc"INTEGRAL"的营销和销售服务达成一致-控股"INTEGRAL"的管理公司
销售部电话。 (+37517)2123850: (+375 17) 212 15 13, e-mail:sales@integral by
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订购特殊用途产品的先决条件是由企业负责人和客户代表(军事代表)签署申请,由适当的印章和签名认证!
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