BiCDMOS 600 V, p-n junction isolation, 1 PolySi, 1 Me

規格
購買和技術。支持

範圍	意義
Тип карточки товара	Сложная
Application, features	SMPS-IC Low voltage NPN: h21E 50 min, Uсе 30V min PNP Lateral: h21E=2,2-30 Uсе=25-60 V NDMOS: Vtn=1.2-3.0 V, Usd >=30 V Low voltage PMOS: Vtp=0.8-2.0 V, Usd >=18 V High voltage PMOS: Vtp=0.8-2.0 V, Usd >=22 V Low voltage NMOS: Vtn=0.8-2.0 V, Usd >=18 V High voltage NMOS: Vtn=0.8-2.0 V, Usd >=600 V
Process Description	Number of masks, pcs. 15 Min design rule,µm 3.0 Substrate: Si/B-doped/ p-type/ Thk 460/ Res 60/ (100) Isolation: p-n junction NDMOS base depth, µm 2.5 Gate SiO2, Å 750 Interlayer dielectric – medium temp. PSG, µm 0,8

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