5 V, 3 µm CMOS, 1 PolySi, 1 Me

規格
購買和技術。支持

範圍	意義
Тип карточки товара	Сложная
Application, features	Small and medium-scale integration logic IC, VDD < 5 V NMOS: Vtn=0.8-1.2 V, Ic >4 mA. Ubr>8V PMOS: Vtр=0.8-1.2 V, Ic >2 mA, Ubr>8V
Process Description	Number of masks, pcs. 11 Design rule,µm 2.0 Substrate: Si/P-doped/ n-type/Res 4.5 N/P-wells depth, µm 6-8 Gate SiO2, Å 425 / 300 Interlayer dielectric: BPSG Channel length: NMOS/PMOS, µm 3-4 Space line PolySi, µm 10 Contacts, µm 4*4 Space line Me, µm 10

訂購

小批量产品供应订单的订单，成本和履行条款由消费者与ojsc"INTEGRAL"的营销和销售服务达成一致-控股"INTEGRAL"的管理公司
销售部电话。 (+37517)2123850: (+375 17) 212 15 13, e-mail:sales@integral by
市场销售部：电话。 (+37517)2121810,tepefax: (+375 17) 212 20 31, 电子邮件: market@integral.by
订购特殊用途产品的先决条件是由企业负责人和客户代表（军事代表）签署申请，由适当的印章和签名认证！