5 V, 2 µm CMOS, 1 PolySi, 1 Me

規格
購買和技術。支持

範圍	意義
Тип карточки товара	Сложная
Application, features	Small and medium-scale integration logic IC, VDD < 5 V NMOS: Vtn=0.6/ 0.5 V, Usd >12 V PMOS: Vtр=-0,7V/-0,5, Usd >14 V
Process Description	Number of masks, pcs. 11 Design rule, µm 2.0 Substrate: Si/ /n -type/ Phosphorus/Res 4.5, 2 wells N/P-well depth, µm 6/7 Gate SiO2, Å 425/300 Interlayer dielectric: BPSG Channel length: NMOS/PMOS, µm 2.5 Space line PolySi, µm 4.5 Contacts, µm 2.4*2.4 Space line Me, µm 8.5

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